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可控硅击穿的原因主要有

所属分类：行业资讯发布时间： 2022-06-05 作者：襄阳拓邦电气工程有限公司

可控硅击穿的原因主要有

1、过压击穿：

过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿：其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。
3、过热击穿：这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。
如果属于过流或过压击穿的话，主要看电机和可控硅的耐压和抗冲击电流的能力大小决定电机是否被烧毁。有的厂家软启本身应外部短路故障发生过流达到一定数值时可控硅会有优先击穿保护电机功能。在电路设计时，软启动器进线处会设置熔断器保护开关，可以有效保护因过流或过压发生烧毁设备的故障。所以一般不会烧毁电机。